Tranzystor G60N100 TO-3P 60A 1000V FGL60N100

Nowy produkt

Tranzystor G60N100 TO-3P 60A 1000V FGL60N100

Więcej szczegółów

Ten produkt nie występuje już w magazynie

11,99 zł brutto

Dodaj do listy życzeń

Więcej informacji

Tranzystor G60N100 TO-3P

Typ: P-MOSFET

Napięcie dren-źródło: 1000V

Prąd drenu (przy 25 °C): 60A

Moc: 208W

Temperatura pracy: -55..+150 °C

Obudowa: TO-3P

Opinie

Na razie nie dodano żadnej recenzji.

Napisz opinię

Tranzystor G60N100 TO-3P 60A 1000V FGL60N100

Tranzystor G60N100 TO-3P 60A 1000V FGL60N100

Tranzystor G60N100 TO-3P 60A 1000V FGL60N100