Nowy produkt
Tranzystor G60N100 TO-3P 60A 1000V FGL60N100
0 Przedmiot Przedmioty
Ten produkt nie występuje już w magazynie
Ostatnie egzemplarze!
Data dostępności:
Tranzystor G60N100 TO-3P
Typ: P-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 1000V
Prąd drenu (przy 25 °C): 60A
Moc: 208W
Temperatura pracy: -55..+150 °C
Obudowa: TO-3P
Na razie nie dodano żadnej recenzji.